Polycrystalline Silisyòm 553 Endistriyèl Smelting

Kontni: 553, 441, 2202, 3303
Granularite: 10-80mm oswa Customized

Voye rechèch

Dekri teren

Pwodwi Deskripsyon

Polikristalin Silisyòm 553 teknoloji fusion endistriyèl te revolusyone endistri solè a lè li pèmèt pwodiksyon modil solè bon jan kalite a pri abòdab. Teknoloji sa a enplike nan pwodiksyon an nan Silisyòm polikristalin (ki refere tou kòm poly-Si) lè l sèvi avèk yon pwosesis SMELTING sofistike ki kapab pwodwi polisilikon segondè-pite apwopriye pou fabrike nan modil solè.

Polysilicon se yon matyè premyè kle yo itilize nan pwodiksyon selil solè ak modil. Li se yon fòm trè pi bon kalite Silisyòm ki pwodui nan pirifye Silisyòm metalijik-klas (MG-Si) lè l sèvi avèk yon pwosesis chimik konplèks. Lè sa a, polisilicon ki kapab lakòz yo koupe an tranch mens, ki itilize pou fabrike selil solè yo. Polysilicon yo itilize tou nan fabrike lòt pwodwi gwo teknoloji tankou semi-conducteurs, panno LCD, ak chip òdinatè.

Pwodiksyon an nan bon jan kalite polysilicon mande pou avanse teknoloji SMELTING endistriyèl. Pwosesis fusion endistriyèl 553 la enplike itilizasyon ekipman avanse tankou founo arc, réacteurs idwojènasyon, ak machin enplantasyon iyon pou pwodwi polisilicon ki wo pite. Pwosesis la enplike plizyè etap, ki gen ladan pwodiksyon an nan MG-Si, pirifikasyon nan MG-Si yo pwodwi trichlorosilane, ak Lè sa a, dekonpozisyon nan trichlorosilane yo pwodwi segondè-pite polysilicon.

553 fusion endistriyèl se yon pwosesis trè efikas ki pèmèt pwodiksyon bon jan kalite polysilicon a yon pri ki ba. Pwosesis la se enèji-efikas epi li pwodui anpil fatra, fè li yon metòd ekolojik-zanmitay nan pwodiksyon polysilicon. Anplis de sa, itilizasyon teknoloji avanse tankou enplantasyon iyon ak réacteurs idwojenasyon asire ke polysilicon la ki kapab lakòz se nan bon jan kalite ki pi wo a, ak enpurte minim.

Itilizasyon polikristalin Silisyòm 553 teknoloji fusion endistriyèl te gen yon enpak transfòmasyon sou endistri solè a. Teknoloji sa a te pèmèt pwodiksyon bon jan kalite modil solè a yon pri ki ba, fè enèji solè pi aksesib ak abòdab pou moun atravè mond lan. Anplis de sa, itilizasyon polysilicon ki pwodui lè l sèvi avèk teknoloji sa a te ogmante efikasite selil solè yo, sa ki lakòz pi gwo pwodiksyon pouvwa ak pi bon pèfòmans.

Benefis ki genyen nan polikristalin Silisyòm 553 teknoloji fusion endistriyèl yo pa limite a endistri solè a pou kont li. Teknoloji a te mennen tou nan pwodiksyon an nan polisilikon segondè-pite, ki gen plizyè lòt aplikasyon nan endistri a gwo teknoloji. Itilizasyon teknoloji sa a pèmèt pwodiksyon chips òdinatè avanse, semi-conducteurs, ak panno LCD, ki itilize nan yon pakèt pwodwi elektwonik.

An konklizyon, polikristalin Silisyòm 553 teknoloji fusion endistriyèl se yon chanjman jwèt nan endistri solè a, ki pèmèt pwodiksyon an nan bon jan kalite modil solè a yon pri ki ba. Teknoloji a trè efikas, ekolojik-zanmi, e li gen plizyè lòt aplikasyon nan endistri gwo teknoloji. Itilizasyon teknoloji sa a te transfòme endistri solè a e li espere kontinye fè sa alavni.

202309011356445605 202309011356446924

Pwodwi kontni

Garde	Konpozisyon
	Si kontni (%)	Enpurte (%)
	Si kontni (%)	Fe	al	Kalkil	P
Silisyòm metal 1501	99.69	0.15	0.15	0.01	Mwens pase oswa egal a 0.004%
Silisyòm metal 1502	99.68	0.15	0.15	0.02	Mwens pase oswa egal a 0.004%
Silisyòm metal 1101	99.79	0.1	0.1	0.01	Mwens pase oswa egal a 0.004%
Silisyòm metal 2202	99.58	0.2	0.2	0.02	Mwens pase oswa egal a 0.004%
Silisyòm metal 2502	99.48	0.25	0.25	0.02	Mwens pase oswa egal a 0.004%
Silisyòm metal 3303	99.37	0.3	0.3	0.03	Mwens pase oswa egal a 0.005%
Silisyòm metal 411	99.4	0.4	0.1	0.1	Mwens pase oswa egal a 0.005%
Silisyòm metal 421	99.3	0.4	0.2	0.1	–
Silisyòm metal 441	99.1	0.4	0.4	0.1	–
Silisyòm metal 551	98.9	0.5	0.5	0.1	–
Silisyòm metal 553	98.7	0.5	0.5	0.3	–
Off-klas Silisyòm metal	96	2	1	1	–