Dekri teren
Deskripsyon
Silisyòm Carbide (SiC) se yon materyèl semi-conducteurs revolisyonè ki chanje figi teknoloji modèn. SiC se yon materyèl pèfòmans-wo ak anpil avantaj sou semi-conducteurs tradisyonèl tankou Silisyòm. Li ka kenbe tèt ak pi wo tanperati, pi wo vòltaj, ak pi wo frekans, sa ki fè li materyèl pafè pou elektwonik pouvwa, sistèm kominikasyon satelit, ak lòt aplikasyon pou pèfòmans-wo.
Pwojè Silicon Carbide, ki se yon kolaborasyon ansanm ant òganizasyon gouvènman, inivèsite, ak konpayi prive, ap travay pou fè SiC materyèl chwa pou aparèy elektwonik ak sistèm. Pwojè a vize pou devlope modil pouvwa ki baze sou SiC, anplifikatè, ak lòt aparèy ki ka itilize nan divès aplikasyon.
Spesifikasyon
| Modèl | Konpozan pousan | |||
| 60# | sik | F.C | Femèl | |
| 65# | 60min | 15-20 | 8-12 | 3.5 max |
| 70# | 65min | 15-20 | 8-12 | 3.5 max |
| 75# | 70min | 15-20 | 8-12 | 3.5 max |
| 80# | 75min | 15-20 | 8-12 | 3.5 max |
| 85# | 80min | 3-6 | 3.5 max | |
| 90# | 85min | 2.5 max | 3.5 max | |
| 95# | 90min | 1.0max | 1.2 max | |
| 97# | 95min | 0.6max | 1.2 max | |
Youn nan avantaj kle yo nan SiC sou semi-conducteurs tradisyonèl yo se kapasite li nan opere nan pi wo tanperati. Aparèy SiC yo ka opere jiska 600 degre, yon tanperati ki pa atenn pou elektwonik tradisyonèl ki baze sou Silisyòm. Sa vle di ke yo ka itilize nan anviwònman piman bouk tankou eksplorasyon lwil oliv ak gaz ak aplikasyon ayewospasyal.
Yon lòt avantaj nan SiC se kapasite li nan kenbe tèt ak pi wo vòltaj ak frekans. Aparèy SiC ka okipe vòltaj jiska 10 fwa pi wo pase aparèy tradisyonèl ki baze sou Silisyòm, epi yo ka opere nan frekans jiska 100 fwa pi wo. Sa fè yo pafè pou itilize nan kondui motè gwo vitès, ekipman pou pouvwa switch-mòd, ak lòt aplikasyon pou pèfòmans segondè.
Pwojè Silisyòm Carbide la ap travay tou pou devlope tranzistò ak anplifikatè ki baze sou SiC ki ka itilize nan sistèm kominikasyon satelit yo. SiC se yon materyèl pafè pou aplikasyon sa a paske li ka opere nan frekans segondè, ki nesesè pou sistèm kominikasyon satelit. Anplifikatè ki baze sou SiC yo tou pi piti ak pi efikas pase anplifikatè tradisyonèl ki baze sou Silisyòm, fè yo yon chwa pafè pou misyon espas.
Pwojè Silisyòm Carbide la te fè pwogrè enpòtan nan devlopman aparèy pouvwa ki baze sou SiC, anplifikatè, ak lòt aparèy elektwonik. Sepandan, toujou gen plis travay pou fè pou fè SiC yon materyèl endikap. Pri a nan fabrikasyon aparèy ki baze sou SiC toujou wo, ak teknoloji a poko gen matirite ase pou pwodiksyon an mas. Men, ak rechèch kontinye ak devlopman, SiC se mete yo vin materyèl la nan chwa pou aplikasyon pou pèfòmans-wo, chanje figi a nan teknoloji modèn pou tout tan.
FAQ
K: Èske ou se yon manifakti oswa machann vann?
A: Nou se fabrike.
K: Ki jan kalite pwodwi yo ye?
A: pwodwi yo pral entèdi enspekte anvan chajman, kidonk bon jan kalite a ta ka garanti.
K: Kouman sou sètifikasyon konpayi ou a?
A: ISO9001 ak rapò tès.
K: Ki sa ki MOQ nan lòd jijman?
A: Pa gen limit, Nou ka ofri pi bon sijesyon ak solisyon selon kondisyon ou.
K: Èske ou bay echantiyon?
A: Wi, echantiyon yo disponib.
Baj popilè: Silisyòm carbure pwojè
Voye rechèch
Ou ka renmen tou
