Segondè dite Silisyòm Carbide Green Powder

Segondè dite Silisyòm Carbide Green Powder

Lè w ap chwazi yon poud abrazif carbure Silisyòm, li enpòtan pou konsidere faktè tankou gwosè gravye, pite, ak fòm patikil. Gwosè a gravye detèmine nivo abrazivite, pandan y ap pite ak fòm patikil afekte bon jan kalite a nan pwodwi a fini.

Dekri teren

 

Deskripsyon

Silisyòm Carbide se yon materyèl abrazif popilè yo itilize nan yon pakèt aplikasyon endistriyèl ak komèsyal yo. Li se yon materyèl difisil ak frajil ak yon pwen k ap fonn segondè, ki fè li apwopriye pou itilize nan pwodwi abrazif tankou wou fanm k'ap pile, papye, ak zouti koupe.

Silisyòm carbure abrazif poud se yon tise byen kraze ak gradye materyèl abrazif ki itilize pou pwodwi pwodwi abrazif. Li se tipikman fèt pa kraze ak klasman-wo kalite kristal carbure Silisyòm nan yon poud amann.

Lè sa a, se poud lan itilize nan pwodiksyon an nan pwodwi abrazif tankou wou fanm k'ap pile, papye, ak zouti koupe. Li se tou itilize nan endistri tankou metaliji, seramik, elektwonik, ak manifakti otomobil.

Silisyòm carbure abrazif poud gen plizyè avantaj sou lòt materyèl abrazif, ki gen ladan dite segondè, segondè konduktiviti tèmik, ba ekspansyon tèmik, ak ekselan rezistans chimik. Pwopriyete sa yo fè li ideyal pou itilize nan anviwònman piman bouk, aplikasyon pou wo-tanperati, ak aplikasyon pou gwo estrès.

Spesifikasyon

Silisyòm Carbide Powder Pwopriyete
Fòmil chimik SiC
Pwa molekilè 40.1 g/mol
Aparans Gri a poud nwa
Crystal estrikti Egzagonal
Pwen k ap fonn 2,730 degre (4,946 degre F)
Dansite 3.21 g / cm³
Dite 9.5 sou echèl Mohs la
Konduktivite tèmik 490 W/mK
Kondiktivite elektrik Semi-kondiktif
Koefisyan ekspansyon tèmik 4.0 × 10⁻⁶/K
Endèks refraktif 2.65 (nan 633 nm)
Konstan Dielectric 9.66 (nan 1 MHz)
Enèji Bandgap 2.2 eV

 

High Hardness Silicon Carbide Green Powder

 

 

High Hardness Silicon Carbide Green Powder

High Hardness Silicon Carbide Green Powder

Baj popilè: segondè dite Silisyòm carbure vèt poud

Ou ka renmen tou

Sak fè makèt