Kapasite pou devlope Silisyòm Carbide
video
Kapasite pou devlope Silisyòm Carbide

Kapasite pou devlope Silisyòm Carbide

Devlope carbure Silisyòm (SiC) enplike plizyè pwosesis ak teknik pou pwodwi bon jan kalite materyèl SiC ak aparèy.

Dekri teren

 

Deskripsyon

Premye etap la nan devlopman SiC se sentèz poud SiC. Yon metòd komen se pwosesis Acheson, kote yon melanj de silica (SiO2) ak kabòn (C) chofe nan tanperati ki wo (apeprè 2000-2500 degre) nan yon fou elektrik. Pwosesis sa a pèmèt kabòn nan reyaji ak silica, fòme poud SiC. Yon lòt metòd se pwosesis rediksyon carbothermal, kote silica ak sous kabòn yo melanje ak chofe nan tanperati ki wo nan prezans yon ajan rediksyon. Lè sa a, poud SiC sentèz la trete plis pou jwenn gwosè a patikil vle ak pite.

Kristal SiC yo ka grandi lè l sèvi avèk diferan metòd, tankou metòd transpò fizik vapè (PVT) ak metòd Lely modifye. Nan metòd PVT la, yo mete yon kristal grenn SiC nan yon gwo founo dife ansanm ak yon materyèl sous, tipikman polikristalin SiC poud. Se gwo fou a chofe, epi yo etabli yon gradyan tanperati, sa ki lakòz vapè SiC transpòte ak depo sou kristal grenn nan, sa ki lakòz kwasans lan nan yon kristal pi gwo sèl. Metòd Lely modifye a enplike nan sublime SiC poud anba tanperati ki wo ak kondisyon kontwole yo fòme kristal sèl.

Spesifikasyon
Eleman Senbòl Pousantaj
Kabòn C 29 pousan
Silisyòm Si 71 pousan

 

Capability To Develop Silicon CarbideCapability To Develop Silicon Carbide

Devlopman SiC se yon domèn rechèch ak devlopman kontinyèl, ak efò kontinyèl pou amelyore kalite materyèl, teknik kwasans kristal, ak pèfòmans aparèy. Chèchè ak enjenyè yo ap eksplore nouvo metòd pou amelyore efikasite, fyab, ak évolutivité nan aparèy ki baze sou SiC. Sa gen ladann avansman nan teknik kwasans kristal, optimize pwosesis epitaksi, ak inovasyon nan konsepsyon aparèy pou debloke tout potansyèl SiC pou plizyè aplikasyon.

Kapasite pou devlope carbure Silisyòm enplike nan yon apwòch miltidisiplinè ki konbine syans materyèl, kwasans kristal, teknik fabrikasyon, ak karakterizasyon ak tès konplè. Avansman kontinyèl yo nan devlopman SiC kontribye nan ekspansyon aplikasyon li yo ak pèmèt realizasyon an nan pwopriyete inik li yo pou pèfòmans amelyore nan divès endistri.

FAQ

K: Èske w se yon konpayi komès oswa yon manifakti?
A: nou se yon manifakti ki sitiye nan Anyang City, Henan Province, Lachin. Tout kliyan nou yo soti nan kay ak aletranje. Map tann vizit ou a.

K: Konbyen tan se tan livrezon ou a?
A: Anjeneral 5-10 jou si machandiz yo nan stock, 15-20 jou si machandiz yo pa nan stock. Li se selon kantite lòd.

K: Èske ou bay echantiyon gratis?
A: Wi, nou ta ka ofri echantiyon an gratis, ou sèlman bezwen peye machandiz la.

 

Baj popilè: kapasite pou devlope carbure Silisyòm

Ou ka renmen tou

Sak fè makèt