CZ Silisyòm wafer
Silisyòm wafers CZ yo souvan itilize nan endistri semi-conducteurs kòm substrats pou fabwikasyon sikui entegre, mikropwosesè, ak lòt aparèy elektwonik. Yo presye pou pite segondè yo, dansite domaj ki ba, ak ekselan pwopriyete elektrik.
Dekri teren
Deskripsyon
Yon wafer Silisyòm CZ se yon kalite wafer Silisyòm ki fabrike lè l sèvi avèk metòd Czochralski (CZ), ki se yon metòd popilè pou grandi kristal sèl nan Silisyòm. Metòd CZ a enplike nan fonn Silisyòm pite-wo nan yon kreze ak Lè sa a, tou dousman rale yon kristal grenn soti nan fonn nan pandan y ap wotasyon kreze a ak kristal grenn nan nan direksyon opoze.
Kòm kristal grenn nan rale soti nan fonn nan, li lakòz Silisyòm nan solidifye nan yon fòm silendrik alantou kristal grenn nan. Pwosesis sa a rezilta nan yon kristal sèl nan Silisyòm ki se gratis nan domaj epi ki gen yon wo degre de pite.
Spesifikasyon
| Dyamèt | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" | 12" |
| Klas | Premye | ||||||
| Metòd Kwasans | CZ | ||||||
| Oryantasyon | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 > | ||||||
| Kalite/Dopant | P Kalite/Bore, N Kalite/Phos, N Kalite/Kòm, N Kalite/Sb | ||||||
| Epesè (μm) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 | 775 |
| Tolerans epesè | Creole ± 25μm, Maksimòm Kapasite ± 5μm | ± 20μm | ± 20μm | ||||
| Rezistivite | 0.001 - 100 ohm-cm | ||||||
| Sifas fini | P/E , P/P, E/E, G/G | ||||||
| TTV (μm) | Estanda< 10 um, Maximum Capabilities <5 um | ||||||
| Banza/Deformation (?m) | Estanda<40 um, Maximum Capabilities <20 um | <40μm | <40μm | ||||
Baj popilè: cz Silisyòm wafer
Voye rechèch
Ou ka renmen tou
